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Composants de circuit intégré d'emballage standard EPC2815
Tension - Test | 1200pF @ 20V |
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Tension - Ventilation | Die |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4 mOhm @ 33A, 5V |
Vgs (Max) | 5V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Séries | eGaN® |
État RoHS | Cut Tape (CT) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33A (Ta) |
Polarisation | Die |
Autres noms | 917-1036-1 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | EPC2815 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11.6nC @ 5V |
type de IGBT | +6V, -5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 9mA |
Fonction FET | N-Channel |
Description élargie | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die |
Tension drain-source (Vdss) | - |
La description | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40V |
Ratio de capacité | - |