AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleEPC2818
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EPC2818
- Méga source #: MEGA-EPC2818
- Fabricant: EPC
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
- Rohs conforme: Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard EPC2818
| Tension - Test | 540pF @ 100V |
|---|---|
| Tension - Ventilation | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 25 mOhm @ 6A, 5V |
| Vgs (Max) | 5V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Séries | eGaN® |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Autres noms | 917-1037-2 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | EPC2818 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5nC @ 5V |
| type de IGBT | +6V, -5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 3mA |
| Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 150V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 150V |
| Ratio de capacité | - |
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