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Composants de circuit intégré d'emballage standard EPC2801
Tension - Test | 950pF @ 50V |
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Tension - Ventilation | Die |
Vgs (th) (Max) @ Id | 7 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (Max) | 5V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Séries | eGaN® |
État RoHS | Cut Tape (CT) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25A (Ta) |
Polarisation | Die |
Autres noms | 917-1035-1 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | EPC2801 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10nC @ 5V |
type de IGBT | +6V, -5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 5mA |
Fonction FET | N-Channel |
Description élargie | N-Channel 100V 25A (Ta) Surface Mount Die |
Tension drain-source (Vdss) | - |
La description | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100V |
Ratio de capacité | - |