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IRFH5104TR2PBF
- Méga source #: MEGA-IRFH5104TR2PBF
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 51368
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IRFH5104TR2PBF
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PQFN (5x6) |
| Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-VQFN Exposed Pad |
| Autres noms | IRFH5104TR2PBF-ND IRFH5104TR2PBFTR SP001560360 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 24A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
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