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IRFH5015TR2PBF
- Méga source #: MEGA-IRFH5015TR2PBF
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 56806
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IRFH5015TR2PBF
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
| Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 34A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN |
| Autres noms | IRFH5015TR2PBFCT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 150V |
| Description détaillée | N-Channel 150V 10A (Ta), 56A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta), 56A (Tc) |
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