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Composants de circuit intégré d'emballage standard IPB50N10S3L16ATMA1
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 60µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Séries | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.4 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | IPB50N10S3L-16 IPB50N10S3L-16-ND IPB50N10S3L-16INTR IPB50N10S3L-16INTR-ND IPB50N10S3L16 IPB50N10S3L16ATMA1TR SP000386183 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4180pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |