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Composants de circuit intégré d'emballage standard IPB50R199CPATMA1
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Séries | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 139W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | IPB50R199CP IPB50R199CP-ND IPB50R199CPATMA1TR SP000236092 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 550V |
Description détaillée | N-Channel 550V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 17A (Tc) |