AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB60R099C6ATMA1
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IPB60R099C6ATMA1
- Méga source #: MEGA-IPB60R099C6ATMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 58523
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IPB60R099C6ATMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 278W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | IPB60R099C6 IPB60R099C6-ND IPB60R099C6ATMA1TR IPB60R099C6TR-ND SP000687468 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 119nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 37.9A (Tc) |
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