AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB45N06S4L08ATMA1
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IPB45N06S4L08ATMA1
- Méga source #: MEGA-IPB45N06S4L08ATMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 57344
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IPB45N06S4L08ATMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±16V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 45A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 71W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | IPB45N06S4L-08 IPB45N06S4L-08-ND IPB45N06S4L08ATMA1TR SP000374316 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 45A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 45A (Tc) |
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