En stock: 74
Nous stockons le distributeur de IDH09G65C5XKSA1 à un prix très compétitif.Consultez IDH09G65C5XKSA1 le plus récent Pirce, l'inventaire et le délai de livraison maintenant en utilisant le formulaire RFQ rapide.Notre engagement envers la qualité et l'authenticité de l'IDH09G65C5XKSA1 est inébranlable, et nous avons mis en œuvre des processus d'inspection et de livraison de qualité stricts pour assurer l'intégrité de l'IDH09G65C5XKSA1.Vous pouvez également trouver une fiche technique IDH09G65C5XKSA1 ici.
Composants de circuit intégré d'emballage standard IDH09G65C5XKSA1
Tension - Inverse de crête (max) | Silicon Carbide Schottky |
---|---|
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 9A (DC) |
Tension - Ventilation | PG-TO220-2 |
Séries | thinQ!™ |
État RoHS | Tube |
Temps de recouvrement inverse (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Résistance @ Si, F | 270pF @ 1V, 1MHz |
Polarisation | TO-220-2 |
Autres noms | IDH09G65C5 IDH09G65C5-ND SP000925206 |
Température d'utilisation - Jonction | 0ns |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IDH09G65C5XKSA1 |
Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 9A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
Configuration diode | 310µA @ 650V |
La description | DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.7V @ 9A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 650V |
Capacité à Vr, F | -55°C ~ 175°C |