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Composants de circuit intégré d'emballage standard IDH10G65C5XKSA2
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.7V @ 10A |
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Tension - inverse (Vr) (max) | 650V |
Package composant fournisseur | PG-TO220-2-1 |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Séries | CoolSiC™ |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 0ns |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-2 |
Autres noms | SP001632410 |
Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Description détaillée | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 180µA @ 650V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 10A (DC) |
Capacité à Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |