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Composants de circuit intégré d'emballage standard IDH08G65C5XKSA1
Tension - Inverse de crête (max) | Silicon Carbide Schottky |
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 8A (DC) |
Tension - Ventilation | PG-TO220-2 |
Séries | thinQ!™ |
État RoHS | Tube |
Temps de recouvrement inverse (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Résistance @ Si, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
Polarisation | TO-220-2 |
Autres noms | IDH08G65C5 IDH08G65C5-ND SP000925204 |
Température d'utilisation - Jonction | 0ns |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IDH08G65C5XKSA1 |
Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
Configuration diode | 280µA @ 650V |
La description | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.7V @ 8A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 650V |
Capacité à Vr, F | -55°C ~ 175°C |