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Composants de circuit intégré d'emballage standard SI6562CDQ-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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Package composant fournisseur | 8-TSSOP |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
Puissance - Max | 1.6W, 1.7W |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Autres noms | SI6562CDQ-T1-GE3CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
type de FET | N and P-Channel |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.7A, 6.1A |
Numéro de pièce de base | SI6562 |