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Composants de circuit intégré d'emballage standard SI6467BDQ-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 450µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-TSSOP |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 1.05W (Ta) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Autres noms | SI6467BDQ-T1-GE3CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 12V |
Description détaillée | P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.8A (Ta) |