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Composants de circuit intégré d'emballage standard TPH3208PD
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
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Package composant fournisseur | TO-220 |
Séries | - |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |