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Composants de circuit intégré d'emballage standard TPH3206PSB
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
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Vgs (Max) | ±18V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur | TO-220AB |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
Dissipation de puissance (max) | 81W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |