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Composants de circuit intégré d'emballage standard TPH3207WS
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.65V @ 700µA |
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Vgs (Max) | ±18V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur | TO-247 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 32A, 8V |
Dissipation de puissance (max) | 178W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2197pF @ 400V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |