AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM60NB099PW C1G
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TSM60NB099PW C1G
- Méga source #: MEGA-TSM60NB099PW C1G
- Fabricant: Taiwan Semiconductor
- Emballage:
- La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 52370
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard TSM60NB099PW C1G
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 11.7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 329W (Tc) |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | TSM60NB099PW C1G-ND TSM60NB099PWC1G |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2587pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 38A (Tc) |
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