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TSM60N900CH C5G
- Méga source #: MEGA-TSM60N900CH C5G
- Fabricant: Taiwan Semiconductor
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 58448
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard TSM60N900CH C5G
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-251 (IPAK) |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | TSM60N900CH C5G-ND TSM60N900CHC5G |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Tc) |
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