AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD35N12S3L24ATMA1
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IPD35N12S3L24ATMA1
- Méga source #: MEGA-IPD35N12S3L24ATMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Digi-Reel®
- La description: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 55037
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IPD35N12S3L24ATMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 71W (Tc) |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD35N12S3L24ATMA1DKR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 120V |
| Description détaillée | N-Channel 120V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
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