AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD350N06LGBTMA1
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IPD350N06LGBTMA1
- Méga source #: MEGA-IPD350N06LGBTMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 50592
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IPD350N06LGBTMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 28µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 29A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 68W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD350N06L G IPD350N06L G-ND IPD350N06LG IPD350N06LGBTMA1TR IPD350N06LGXT SP000204197 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 29A (Tc) |
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