AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD320N20N3GBTMA1
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IPD320N20N3GBTMA1
- Méga source #: MEGA-IPD320N20N3GBTMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 56532
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IPD320N20N3GBTMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 34A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD320N20N3 GCT IPD320N20N3 GCT-ND IPD320N20N3GBTMA1CT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 34A (Tc) |
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