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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRFDC20
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 190mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Autres noms | *IRFDC20 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 320mA (Ta) |