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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRFH4213DTRPBF
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PQFN (5x6) |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 96W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
Autres noms | IRFH4213DTRPBFTR SP001556336 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3520pF @ 13V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 25V |
Description détaillée | N-Channel 25V 40A (Ta) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40A (Ta) |