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Composants de circuit intégré d'emballage standard EPC8002
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | +6V, -4V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur | Die |
Séries | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
Dissipation de puissance (max) | - |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | Die |
Autres noms | 917-1118-1 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 32.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V |
Tension drain-source (Vdss) | 65V |
Description détaillée | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |