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EPC8002ENGR
- Méga source #: MEGA-EPC8002ENGR
- Fabricant: EPC
- Emballage: Tray
- La description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 57203
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard EPC8002ENGR
| Tension - Test | 21pF @ 32.5V |
|---|---|
| Tension - Ventilation | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Séries | eGaN® |
| État RoHS | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Autres noms | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | EPC8002ENGR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 0.14nC @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 65V |
| Ratio de capacité | - |
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