AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleBUV26G
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BUV26G
- Méga source #: MEGA-BUV26G
- Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
- Emballage: Tube
- La description: TRANS NPN 90V 20A TO220AB
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 57395
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard BUV26G
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 90V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.2A, 12A |
| Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-220AB |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 85W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | BUV26G-ND BUV26GOS |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 20A 85W Through Hole TO-220AB |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 20A |
| Numéro de pièce de base | BUV26 |
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