AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleBUV21G
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BUV21G
- Méga source #: MEGA-BUV21G
- Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
- Emballage: Tray
- La description: TRANS NPN 200V 40A TO-3
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 33
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard BUV21G
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 200V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3A, 25A |
| Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-3 |
| Séries | SWITCHMODE™ |
| Puissance - Max | 250W |
| Emballage | Tray |
| Package / Boîte | TO-204AE |
| Autres noms | BUV21G-ND BUV21GOS-NDOS BUV21GOSOS |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 2 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 8MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 12A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 3mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 40A |
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BUV21G FAQ
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