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Composants de circuit intégré d'emballage standard PDTA113ES,126
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | TO-92-3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Puissance - Max | 500mW |
Emballage | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Autres noms | 934058783126 PDTA113ES AMO PDTA113ES AMO-ND |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | PDTA113 |