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Composants de circuit intégré d'emballage standard PDTA113EMB,315
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | DFN1006B-3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Puissance - Max | 250mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 3-XFDFN |
Autres noms | 934065918315 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 180MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | PDTA113 |