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Composants de circuit intégré d'emballage standard DTD123TSTP
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | SPT |
Séries | - |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-72 Formed Leads |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |
Numéro de pièce de base | DTD123 |