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Composants de circuit intégré d'emballage standard DTD114GCT116
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | SST3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | DTD114GCT116DKR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |