AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK650A60F,S4X
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TK650A60F,S4X
- Méga source #: MEGA-TK650A60F,S4X
- Fabricant: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Emballage: Tube
- La description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 395
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard TK650A60F,S4X
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.16mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220SIS |
| Séries | U-MOSIX |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | TK650A60F,S4X(S TK650A60FS4X TK650A60FS4X(S |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 300V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
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