AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK62J60W,S1VQ
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TK62J60W,S1VQ
- Méga source #: MEGA-TK62J60W,S1VQ
- Fabricant: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard TK62J60W,S1VQ
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 3.1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-3P(N) |
| Séries | DTMOSIV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 30.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 400W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Autres noms | TK62J60W,S1VQ(O TK62J60WS1VQ |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 300V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | Super Junction |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 61.8A (Ta) |
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