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Composants de circuit intégré d'emballage standard EPC2103
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
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Package composant fournisseur | Die |
Séries | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
Puissance - Max | - |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | Die |
Autres noms | 917-1183-1 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tension drain-source (Vdss) | 80V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A Surface Mount Die |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 28A |