AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB70N10F4
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STB70N10F4
- Méga source #: MEGA-STB70N10F4
- Fabricant: STMicroelectronics
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 55229
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard STB70N10F4
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D2PAK |
| Séries | DeepGATE™, STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 65A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 65A (Tc) |
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STB70N10F4 FAQ
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- QNos produits grâce à un dépistage strict, pour garantir que les utilisateurs achètent des produits authentiques et assurés, s'il y a des problèmes de qualité, peut être retourné à tout moment!
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