AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB6NM60N
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STB6NM60N
- Méga source #: MEGA-STB6NM60N
- Fabricant: STMicroelectronics
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 56796
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard STB6NM60N
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D2PAK |
| Séries | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | 497-8770-2 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.6A (Tc) |
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STB6NM60N FAQ
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