En stock: 52116
Nous stockons le distributeur de SIDR140DP-T1-GE3 à un prix très compétitif.Consultez SIDR140DP-T1-GE3 le plus récent Pirce, l'inventaire et le délai de livraison maintenant en utilisant le formulaire RFQ rapide.Notre engagement envers la qualité et l'authenticité de l'SIDR140DP-T1-GE3 est inébranlable, et nous avons mis en œuvre des processus d'inspection et de livraison de qualité stricts pour assurer l'intégrité de l'SIDR140DP-T1-GE3.Vous pouvez également trouver une fiche technique SIDR140DP-T1-GE3 ici.
Composants de circuit intégré d'emballage standard SIDR140DP-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max) | +20V, -16V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8DC |
Séries | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.67 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
Autres noms | SIDR140DP-T1-GE3TR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8150pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 25V |
Description détaillée | N-Channel 25V 79A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 79A (Ta), 100A (Tc) |