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Composants de circuit intégré d'emballage standard SIDR402DP-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | +20V, -16V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8DC |
Séries | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
Autres noms | SIDR402DP-T1-GE3TR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 20V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 40V |
Description détaillée | N-Channel 40V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |