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EMD2T2R
- Méga source #: MEGA-EMD2T2R
- Fabricant: LAPIS Technology
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 57853
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard EMD2T2R
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | EMT6 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | EMD2T2R-ND EMD2T2RTR |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | *MD2 |
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EMD2T2R FAQ
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