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Composants de circuit intégré d'emballage standard EMD30T2R
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V, 30V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | EMT6 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms, 1 kOhms |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | EMD30T2R-ND EMD30T2RTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz, 260MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA, 200mA |
Numéro de pièce de base | *MD30 |