AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTFI6N62K3
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STFI6N62K3
- Méga source #: MEGA-STFI6N62K3
- Fabricant: STMicroelectronics
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 50223
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard STFI6N62K3
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I2PAKFP (TO-281) |
| Séries | SuperMESH3™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Autres noms | 497-13269-5 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 875pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 620V |
| Description détaillée | N-Channel 620V 5.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.5A (Tc) |
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STFI6N62K3 FAQ
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