AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPI80N04S306AKSA1
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IPI80N04S306AKSA1
- Méga source #: MEGA-IPI80N04S306AKSA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 58616
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IPI80N04S306AKSA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 52µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO262-3 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms | IPI80N04S3-06 IPI80N04S3-06-ND SP000261237 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 80A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
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