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Composants de circuit intégré d'emballage standard E3M0280090D
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
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Vgs (Max) | +18V, -8V |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Package composant fournisseur | TO-247-3 |
Séries | Automotive, AEC-Q101, E |
Statut RoHS | RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
Dissipation de puissance (max) | 54W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 600V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 15V |
Tension drain-source (Vdss) | 900V |
Description détaillée | N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Tc) |