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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRFZ48NSTRR
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D2PAK |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 32A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 130W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 55V |
Description détaillée | N-Channel 55V 64A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 64A (Tc) |