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Composants de circuit intégré d'emballage standard HUFA76609D3
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±16V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-251AA |
Séries | UltraFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 49W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 425pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole TO-251AA |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |