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Composants de circuit intégré d'emballage standard 2SD21330RA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
Transistor Type | NPN |
Package composant fournisseur | MT-3-A1 |
Séries | - |
Puissance - Max | 1.5W |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 3-SIP |
Autres noms | 2SD21330RACT |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 200MHz 1.5W Through Hole MT-3-A1 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
Numéro de pièce de base | 2SD2133 |