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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRFD9010
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 580mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Autres noms | *IRFD9010 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 50V |
Description détaillée | P-Channel 50V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.1A (Tc) |