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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRF7342D2PBF
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | FETKY™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | *IRF7342D2PBF SP001563510 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 55V |
Description détaillée | P-Channel 55V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.4A (Ta) |