AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV185XN,215
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PMV185XN,215
- Méga source #: MEGA-PMV185XN,215
- Fabricant: Freescale / NXP Semiconductors
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 54282
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard PMV185XN,215
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-236AB (SOT23) |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 325mW (Ta), 1.275W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | 568-10831-2 934066753215 PMV185XN,215-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 76pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 1.1A (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.1A (Ta) |
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